СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2015

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 39 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2015 нием в качестве «головного» элемента кремниевого полевого транзистора с p-n-переходом, обеспечивающего наименьший уровень шума. Функционально завершённый канал аналоговой обработки импульсных сиг- налов датчиков содержит малошумящий усилитель, включённый по схеме заря- дочувствительного или трансимпеданс- ного усилителя, и полосовой фильтр. В наиболее распространённом кана- ле обработки сигналов датчиков «голов- ной» транзистор малошумящего усили- теля, элементы его цепи отрицатель- ной обратной связи и датчик находятся при криогенной температуре, а осталь- ные элементы – при комнатной. Такие усилители с охлаждаемым «головным» транзистором обычно реализуют в виде «перегнутого» каскода, обобщённая схе- ма которого приведена в статье. При необходимости размещения всех элементов канала, а не только «голов- ного» транзистора, при низкой темпе- ратуре, например в космической аппа- ратуре, синтез малошумящего усили- теля и аналоговых каскадов общего применения осуществляют чаще все- го на одном типе активного элемента – полевом транзисторе с p-n-переходом и каналом p- и/или n-типа. В статье приведеныипроанализирова- нысхемотехнические решения, направ- ленные на улучшение параметров уси- лителей, выполненных на полевых транзисторах с p-n-переходом: каскод- ное включение транзисторов, активная нагрузка в виде различного соединения полевых транзисторов, следящие обрат- ные связи, истоковые повторители с уве- личенной нагрузочной способностью. Рассмотренные схемы и сформули- рованные рекомендации по выбору типа активных элементов и режима их работы могут быть использованы при разработке малошумящих усилителей для криогенных температур. Л ИТЕРАТУРА 1. Ardelean J. On the Noise Behaviour of DMILL ChargeandCurrent-SensitivePreamplifierArchi- tectures. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Vol. A406. 1998. P. 127–138. 2. Ardelean J. Preamplifiers for Room Tempe- rature and Cryogenic Calorimetry Appli- cations Based on DMILL Technology. Nucle- ar Instruments and Methods in Physics Research. Vol. A376. 1996. P. 217–224. 3. Radeka V. Monolithic Preamplifier Employing Epitaxial N-Channel JFETS. Nuclear Instru- ments and Methods in Physics Research. Vol. A326. 1993. P. 77–81. 4. Radeka V . Monolithic Junction Field-Effect Transistor Charge Preamplifier for Calori- metry at High Luminosity Hadron Colli- ders. IEEE Transactions on Nuclear Science. Vol. NS-40. No 5. 1993. P. 1321–1324. 5. Radeka V . JFET Monolithic Preamplifier with Outstanding Noise Behaviour and Radiation Hardness Characteristics. IEEE Transactions on Nuclear Science. Vol. 40. 1993. P. 744–749. 6. Manfredi P.F. JFET-Based Monolithic Pre- amplifiers for Spectrometry Applications. Nuclear Instruments and Methods in Phys- ics Research. Vol. A380. 1996. P. 308–311. 7. Manfredi P.F. Monolithic JFET Preamplifier with Nonresistive Charge Reset. IEEE Trans- actions on Nuclear Science. Vol. 45. 1998. P. 2257–2260. 8. Black G.G.A. A JFET Circuit for Instrumen- tation Applications. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. Vol. 22. 1973. P. 2–8. 9. Forssell F . A Simple Class A JFET Operation- al Amplifier. www.forsselltech.com/media/ attachments/JFET_Opamp.PDF. Активный компонент вашего бизнеса Различные решения по подбору элементной базы Осуществление поставок комплектующих для серийного производства и новых разработок Поддержка склада Оказание технической и информационной поддержки +7 (495) 232-2522 INFO@PROCHIP.RU WWW.PROCHIP.RU © СТА-ПРЕСС