СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2015

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 17 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2015 З АКЛЮЧЕНИЕ Толстые слои физического LPE GaAs p–i–n-перехода (50–100 мкм) обеспе- чивают возможность создания бета- источников с двухсторонней изотоп- ной планаризацией и, следователь- но, удвоения и без того высочайшей эффективности бета-преобразования (в СССР в г. Томске при создании СВЧ- приборов для Х-диапазона была отла- жена технология с GaAs-кристаллами с толщинами ≈ 60 мкм). Для эффективных бета-источни- ков питания необходимы более совер- шенные,энергоплотные(>50мкВт/см 2 ) изотопные источники электронов с энергиями до 250 кэВ и с более зна- чительными флюенсами электро- нов в секунду, по сравнению с 113m Cd и 147 Pm, конкурирующие с современ- ными РЭМ. Россия обладает исклю- чительно высоким технологическим уровнем производства радиоизото- пов (источников бета- и альфа-час- тиц) в целом ряде ядерных центров и НИИ, химико-технологических комбинатов, с применением реак- торных, циклотронных и других технологий. Вполне возможно, что со временем более эффективной технологией соз- дания микро-АЭС станет бинарное пре- образование энергии на основе продук- тов распада в виде частиц α → β с высо- чайшей энергетикой и значительно более высокими мощностными харак- теристиками (до десятков ватт/дм 3 ). Технологии бета-вольтаики на осно- ве LPE i-GaAs c очень высокой веро- ятностью могут использоваться для терагерцового (СВЧ) генерирования, инфракрасных излучателей (иониза- ция глубоких амфотерных центров с высокой концентрацией, до 10 17 см -3 ), а также портативных рентгеновских генераторов (Х – тормозное излуче- ние электронов). Конструкция бета-источника пита- ния на основе LPE i-GaAs патентуется авторами статьи. Л ИТЕРАТУРА 1. Чеченин Н.Г. Научно-техническая библи- отека НИИЯФ МГУ. Курс лекций «Элек- тронная микроскопия и ионная спектро- скопия». 2. НагорновЮ.С. Монография «Современные аспекты применения бетавольтаического эффекта». г. Ульяновск. 2012. 3. Revankar Shripad T., Adams Thomas E. Advances in Power Sources. J. Energy Power Sources. Vol. 1. No. 6. 2014. Pp. 321–329. 4. Акульшин Ю.Д., Лурье М.С., Пяты- шев Е.Н., Глуховской А.В., Казакин А.Н. Бета- вольтаический МЭМС-преобразователь энергии. Научно-технические ведо- мости СПбГПУ. Информатика. Теле- коммуникации. Управление. 2014. № 5(205). С. 35–42. 5. Adams Thomas E. Status of Betavoltaic Power Sources for Nano and Micro Power Applications. Purdue University. Nuclear engineering. Global Deterrence and Defence Symposium. Bloomington / Monroe County. Indiana. USA. September. 2011. 6. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. Новая экстремальная электроника на основе LPE i-GaAs монокристаллов. Совре- менная электроника. 2014. № 6. 7. Гордеев А.И. Электроника как одна из основ национального суверенитета. Силовая электроника. 2014. № 6. 8. Tin Steven, Lal Amit . Ultra-High Efficiency High Power Density Thinned-Down Silicon Carbide Betavoltaics. SonicMEMS Laboratory. School of Electrical and Computer Engineering. Cornell University Ithaca. NY. USA. PowerMEMS. 2009. Washington.DC.USA.December1–4.2009. Активный компонент вашего бизнеса ТЕЛ.: (495) 232-2522 / INFO@PROCHIP.RU / WWW.PROCHIP.RU © СТА-ПРЕСС