СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №4/2015

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 53 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2015 а б в изделий при создании приборов для УФ-области спектра могут исполь- зовать стандартные печатные платы и менять только светодиоды. Развивая линейку УФ-светодиодов, компания SemiLEDs занимает новые рыночные ниши, укрепляя тем самым свои позиции на светодиодном рынке. М ОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ ИК- ДИАПАЗОНА КОМПАНИИ S EMI LED S В конце 2014 – начале 2015 гг. ком- пания SemiLEDs начала производство светодиодов в ИК-диапазоне спектра. Это новый для компании диапазон, где применяются кристаллы на осно- ве арсенидных структур [3, 4]. В свя- зи с этим компания SemiLEDs освоила технологию арсенида галлия (GaAs) и структур на его основе, хотя ранее специализировалась на нитриде гал- лия (GaN), используя инновационную технологию Lift-Off [1–4] и структуры на основе фосфида алюминия-индия- галлия (AlInGaP) для производства кри- сталлов жёлтых и красных светодиодов. Результатом внедрения новой техно- логии стал выпуск описанных тёмно- красных светодиодов серии С3535M, для которых используются структуры на основе арсенида алюминия-галлия (AlGaAs), а также появление новой серии ИК-светодиодов N3535X-INx1. Светодиоды данной серии выпуска- ются в диапазоне длин волн 840–870 нм, номинальный рабочий ток составляет 700 мА. В серию входят модели с тремя значениями углов светораспределения: 140 ° , 90 ° и 65 ° (см. рис. 5). Значения их мощности излучения при номиналь- ном токе составляют, в зависимости от угла светораспределения, соответ- ственно, 700–1000 мВт, 650–950 мВт и 600–900 мВт. Максимальный рабо- чий ток светодиодов серии C3535U- UNx1 – 1000 мА. Тепловое сопротив- ление данных светодиодов не превы- шает 4,4 ° С/Вт, что говорит о высоких тепловых свойствах корпуса и кристал- ла, а также подтверждает возможность работы при высоком токе. Основные характеристики ИК-свето- диодов серии N3535X-INx1 приведены в таблице 5. Размеры основания светодиодов се- рии N3535X-INx1 составляют 3,45 × × 3,45 мм и идентичны размерам осно- вания для светодиодов всех описан- ных серий. Это позволяет разработ- чикам светотехнических изделий ис- пользовать стандартные печатные пла- ты также и при создании систем для ИК-применений, которыми являются, например, источники излучения и каме- рыдля систем безопасности и наблюде- ния, а также системымашинного зрения. З АКЛЮЧЕНИЕ Описанные в данной статье новые светодиоды компании SemiLEDs име- ют высокую световую отдачу и эффек- тивность, что позволяет создавать на их основе конкурентоспособные светотех- нические изделия. Кроме того, приме- нение данных светодиодов, имеющих при высокой световой отдаче невы- сокую цену люмена, позволит сокра- тить срок окупаемости изделий. При- менение белых светодиодов компании SemiLEDs может позволить существен- но снизить себестоимость люмена гото- вого изделия, а также повысить эффек- тивность их использования в промыш- ленности. Расширение линейки светодиодов как в УФ-область, так и в ИК-область свиде- тельствует о существенном научно-тех- ническом и инженерно-технологиче- ском потенциале компании. Расшире- ние линейки УФ-светодиодов в более коротковолновую область свидетель- ствует о высоком уровне освоения тех- нологии GaN-структур, а появление тёмно-красных светодиодов, исполь- зующих кристаллы на основе AlGaAs- структур, а также принципиально новых ИК-светодиодов, в которых используют- ся кристаллы на основе GaAs-структур, говорит об освоении компанией новых технологических процессов на уровне серийного производства. Успехи компании SemiLEDs, достиг- нутые за последнее время, позволят существенно укрепить её позиции сре- ди лидеров рынка светодиодов. Л ИТЕРАТУРА 1. Туркин А. Характеристики и особенности светодиодов компании SemiLEDs. Совре- менная электроника. 2014. №3. С. 26–31. 2. Матешев И., Туркин А. Светодиоды SemiLEDs – новые технологии, новые воз- можности. Полупроводниковая светотех- ника. 2014. № 3. С. 42–47. 3. Шуберт Ф.Е. Светодиоды. М. ФизМатЛит. 2008. 4. Туркин А.Н. Полупроводниковые светоди- оды: история, факты, перспективы. Полу- проводниковая светотехника. 2011. № 5. С. 28–33. Таблица 4. Основные характеристики УФ-светодиодов серии BC3535U-VNL1 компании SemiLEDs Светодиод Диапазон Длина волны, нм Номинальный ток, мА Макс. рабочий ток, мА Мощность излучения, мВт мин. макс. мин. макс. BC3535U-VNL1 U2B 365 370 350 500 60 120 U3A 370 375 350 500 60 120 Таблица 5. Основные характеристики ИК-светодиодов серии N3535X-INx1 компании SemiLEDs Светодиод Длина волны, нм Номинальный ток, мА Макс. рабочий ток, мА Угол, ° Мощность излучения, мВт мин. макс. мин. макс. N3535X-INL1-EDH11N 840 870 700 1000 140 700 1000 N3535X-INA1- EDH11N 840 870 700 1000 90 650 950 N3535X-INF1- EDH11N 840 870 700 1000 65 600 900 Рис. 5. Мощные ИК-светодиоды серии N3535X-INx1 компании SemiLEDs: а – с углом светораспределения 140 ° ; б – с углом светораспределения 90 ° ; в – с углом светораспределения 65 ° Рис. 4. Мощные УФ-светодиоды серии BC3535U-VNL1 компании SemiLEDs © СТА-ПРЕСС