СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №4/2015

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 32 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2015 и его твёрдых растворов демонстри- руют перспективность примене- ния этих материалов в электронных и оптоэлектронных приборах. Дости- жения отмечаются как в характеристи- ках светодиодных структур, так и в тех- нологии изготовления этих структур для СВЧ-транзисторов. Новые иссле- дования и разработки в области СВЧ- микроэлектроники, связанные с рас- ширением области применения тран- зисторов на основе широкозонных структур на базе GaN в миллиметровый и субмиллиметровый диапазоны длин волн, открывают широкие возможно- сти для разработчиков. Стоит также отметить, что пере- ход технологии выращивания GaN- Таблица 9. Основные модели и характеристики мощных усилителей на основе GaN компании RFHIC Модель Частота, МГц P3дБ [P1дБ], дБм Коэффициент усиления, дБ Рабочее напряжение, В Ток, А RWS02520-10 20…512 43 40 28 2,5 RWS02540-10 20…512 46 41 28 3,2 RWS05020-10 20…1000 43 36 28 2,3 RWP03040-10 20…520 46 42 28 3,8 RWP03040-50 20…500 46 39 28 4 RWP03160-10 20…500 52 43 28 11 RWP05020-10 20…1000 43 40 28 2,3 RWP05040-10 20…1000 46 38 28 3,5 RWP06040-10 450…880 45 40 28 3 RWP06040-60 500…1000 46 42 28 4,5 RWP15040-10 500…2500 47 38 32 5,0 RWP15080-10 700…2700 50 53 32 10,0 RWP17050-10 700…2700 47 37 32 4,5 RUP15010-10 500…2500 40 17 28 1 RUP15020-10 500…2500 43 15 28 2 RUP15020-11 500…2500 43 50 30 3,5 RUP15030-10 500…2500 45 13 28 4 RUP15050-10 500…2500 47 13 28 5,5 RUP15050-11 500…2500 47 60 30 7 RUP15050-12 500…2500 47 60 30 7 RWP15020-50 1000…2000 43 29 28 3,6 RNP19040-50 1800…1900 47,5 33 28 3,7 RWP25020-50 2000…3000 44 25 28 2,8 RNP21040-50 2100…2170 47,5 33 28 3,9 RFC042 400…800 – 23 24 0,4 RFC092 800…1000 [30] 23 24 0,4 RFC1G22-24 20…1000 [30] 22 24 0,4 RFC1G21H4-24 20…1000 36 21 24 0,55 RFC1G21H4-24-S 20…1000 36 21 24 0,55 RFW2500H10-28 20…2500 36 17 28 0,7 RWM03060-10 20…520 49 55 28 7 RWM03125-10 20…520 51 55 28 9 RWM03125-20 20…520 51 55 28 9 RUM15040-10 500…2500 46 (Pнас) 56 28 5,5 RUM15040-20 500…2500 46 (Pнас) 56 28 5,5 RWP15100-R0 500…2500 50 42 33 10 RUM43010-10 2500…6000 40 (Pнас) 29 28 2,2 RUM43020-10 2000…6000 43 (Pнас) 35 28 4 Таблица 8. Характеристики выпрямителей-преобразователей для РЛС на основе GaN компании RFHIC Модель Частота, ГГц Выходная мощность, Вт Усиление, дБ Скважность, % Ширина импульса, мкс RFCR91-XTRM-015SP-200A 9,0…9,2 15 42 10 100 RFCR93-XTRM-015SP-500A 9,0…9,5 15 42 100 RFMR57-CTRM-020SP-500A 5,4…5,9 20 40 50 RFMR31-STRM-200-400B 2,9…3,3 200 53 500 RFMR13-LTRM-250-100B 1,3…1,4 250 54 2000 RFMR13-LTRM-250-200B 1,2…1,4 250 52 2000 гетеростурктур на использование в мас- совом производстве подложек диа- метром 6 дюймов (150 мм) позволит дополнительно ускорить развитие дан- ного направления, а также существен- но снизить себестоимость кристаллов за счёт увеличения выхода годной про- дукции. Такие подложки на протяже- нии уже нескольких лет используют- ся в массовом производстве светоди- одных структур и структур силовых приборов. Технологические успехи, которые обеспечили на пластинах диа- метром 150 мм высокие характеристи- ки в сочетании с отличной однородно- стью по толщине, удельным сопротив- лением и качеством слоёв, позволили начать использование данных пла- стин и в массовом производстве СВЧ- компонентов. Уже в ближайшем буду- щем следует ожидать дальнейших успе- хов применения GaN-гетероструктур в области СВЧ-электроники. Л ИТЕРАТУРА 1. Туркин А.Н. Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современ- ной оптоэлектронике. Компоненты и тех- нологии. 2011. №5. С. 6–10. 2. Юнович А.Э. Светодиоды на основе гете- роструктур из нитрида галлия и его твер- дых растворов. Светотехника. 1996. №5/6. С. 2–7. 3. Золина К.Г., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юно- вич А.Э. Спектры люминесценции голубых и зелёных светодиодов на основе много- слойных гетероструктур InGaN/AlGaN/ GaN с квантовыми ямами. ФТП. 1997. Том 31. № 9. С. 1055–1061. 4. ФёдоровЮ. Широкозонные гетерострук- туры (Al,Ga,In)N и приборы на их основе для миллиметрового диапазона длин волн. Электроника НТБ. 2011. № 2. С. 92–107. 5. Туркин А.Н., Юнович А.Э. Лауреаты Нобе- левской Премии 2014 года: по физике – И. Акасаки, Х. Амано, С. Накамура. Приро- да. 2015. № 1. С. 75–81. 6. Кищинский А.А. Твердотельные СВЧ-уси- лители на нитриде галлия – состояние и перспективы развития. Материалы 19-й Крымской конференции «СВЧ- техника и телекоммуникационные тех- нологии». Севастополь. Вебер. 2009. 7. Фёдоров Ю.В., Гнатюк Д.Д., Галиев Р.Р., Щербакова М.Ю., Свешников Ю.Н., Цыплен- ков И.Н. Усилители мощности КВЧ- диапазона на гетероструктурах AlGaN/ AlN/GaN/Сапфир. Материалы IX Научно- технической конференции «Твердотель- ная электроника, сложные функциональ- ные блоки РЭА». Звенигород. 1–3 декабря 2010 г. С. 44–46. © СТА-ПРЕСС