СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №3/2015

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 47 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 3 2015 К микроконтроллеру Микросхема ФНЧ Усилитель СКВТ 1 СКВТ 2 Масштабирующий усилитель ФНЧ Следящий преобразователь угол–код № 1 Следящий преобразователь угол–код № 2 SPI К микроконтроллеру Микросхема ФНЧ ФНЧ Усилитель Сельсин Масштабирующий усилитель Следящий преобразователь угол–код № 1 SPI Преобразование координат ϕ см. sin sin( ϕ ) cos( ϕ ) + + + X X X X ϕ К см. sin К ус. sin К см. cos U ex. OC U ex. В U Вx_Х , U Вx_Y К ус. cos I_cos I_sin Восстановление опорного сигнала ● различное усиление по каналам K ус.sin , K ус.cos . Компенсация указанных погрешно- стей повышает точность вычисления угла в несколько раз, позволяет приме- нять стандартные компоненты в цепях обвязки и приближает датчики типа СКВТ по точности к оптическим, при- чём без потери других преимуществ. Микросхема RDS-M также позволяет получать код непосредственно с АЦП, что, помимо целей юстировки подклю- чённого датчика, позволяет использо- вать альтернативные алгоритмы вычис- ления скорости и угла. З АКЛЮЧЕНИЕ По основным параметрам микросхе- ма RDS-M, разрабатываемая ЗАО «ПКК Миландр», не уступает лучшим зару- бежным аналогам и позволяет реали- зовать на её основе преобразователи угол–код, соответствующие современ- ным требованиям. Образцы микросхе- мы будут представлены потребителям в IV квартале 2015 года. Л ИТЕРАТУРА 1. Ануфриев В., Лужбинин А., Шумилин С. Методы обработки сигналов индуктивных датчиков линейных и угловых перемеще- ний. Современная электроника. №4. 2014. 2. Прокофьев Г., Стахин В., Обеднин А. К1382НХ045 – микросхема преобразо- вателя фазы квадратурного сигнала в код положения. Современная электроника. № 6. 2014. 3. Микросборки преобразователя угол– код Ф020, Ф020.1. Краткое описание. www.npofizika.ru/pdf/F020.pdf. 4. www.ams.aeroflex.com/pagesproduct/ datasheets/ACT5028.pdf. 5. www.analog.com/static/imported-files/ data_sheets/AD2S1210.pdf. 6. www.ddc-web.com/Products/99/De- fault.aspx. Новости мира News of the World Новости мира Рис. 4. Типовая схема включения RDS-M в режиме 2-отсчётного СКВТ Рис. 5. Типовая схема включения RDS-M в режиме сельсина Рис. 6. Модель СКВТ в микросхеме RDS-M Рынок интегральных схем в 2015 году По прогнозам Digitimes Research объ- ём выпуска интегральных микросхем в 2015 году достигнет $54,8 млрд, что на 12% больше прошлогоднего показателя, равного $49 млрд. Планируемый рост будет обусловлен спросом на смартфоны с поддержкой 4G, который позволит скомпенсировать такие неблагоприятные факторы, как уменьше- ние спроса на планшеты, ПК и смартфоны. Компания TSMC выделила на 2015 год рекордно большие капиталовложения в раз- мере $12 млрд. Ведущий контрактный про- изводитель полупроводниковой продукции в течение года рассчитывает расширить про- изводственные мощности, на которых про- дукция будет выпускаться по 16-нм техно- логии FinFET, одновременно возводя линии для более передовой 10-нм технологии. В TSMC ожидают, что продажи 20-нм про- дукции, в 2014 году составившие $2,15 млрд, в 2015 году достигнут $6,34 млрд. Между тем компания Samsung Electronics сосредотачивается на 14-нм технологии FinFET. По мнению аналитиков, благодаря партнёрству с Globalfoundries, Samsung смо- жет предложить заказчикам более выгод- ные условия, чем конкуренты. Считается, что Samsung сможет получить больший про- цент выхода годной продукции в сегменте рынка, соответствующем нормам 1X нм. Всё это поможет Samsung занять 10% мирового рынка интегральных микросхем. www.digitimes.com