СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №2/2015

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ 85 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2015 за счёт собственных средств органи- заций-исполнителей, с возможным привлечением отечественных и ино- странных инвесторов, займов и кре- дитов. Следует заметить, что федеральная целевая программа «Национальная тех- нологическая база» на 2007–2011 гг., в состав которой входила подпрограм- ма «Развитие электронной компонент- ной базы» на 2007–2011 гг., не была выполнена. На первом этапе выполнения этой программы предполагалось, в основ- ном за счёт средств частных инвесто- ров, провести разработку базовых промышленных технологий микро- электроники уровней 180 нм и освоить в производстве к 2009 г. технологиче- ский уровень 130 нм. Предполагалось также разработать и освоить в про- изводстве новые классы электрон- ной компонентной базы, а в 2015 г. достигнуть уровня 45 нм. «Нам очень важно, чтобы ЭКБ поднялась до миро- вого уровня, ведь радиоэлектронные системы, особенно используемые в оборонной промышленности, луч- ше создавать из отечественных ком- понентов, а не иностранных», – выска- зывался Владимир Верба, гендиректор концерна «Вега» (производит радио- локационные системы, средства раз- ведки и управления наземного, авиа- ционного и космического базиро- вания). Пока всё это остаётся лишь благим намерением. На втором этапе реализации про- граммы планировалось сократить технологическое отставание радио- электронной промышленности от прогнозируемого мирового уровня и обеспечить отечественной электро- нике и радиоэлектронике интеграцию в международные программы разви- тия на основе использования отече- ственных достижений в области нано- материалов и комплексных программ- но-аппаратных решений в области сложных систем. Должна быть постро- ена единая сеть сквозного проектиро- вания радиоэлектронной продукции, в которой на первом уровне должно быть проектирование функциональ- но сложной электронной компонент- ной базы, на втором уровне – проекти- рование управляющих электронных модулей, и на третьем уровне – конеч- ных радиоэлектронных изделий. Ожи- далось, что объём выпуска радио- электронной продукции в 2015 году составит 300 млрд руб. и увеличит- ся по сравнению с 2008 годом более чем в 5 раз. Предполагалось, что в Рос- сии к 2015 году будут существовать реальные и востребованные рынком производственные мощности совре- менной электронной компонентной базы, а общий объём её сбыта соста- вит более 80 млрд руб. в год. Сбыт же радиоэлектронной продукции достиг- нет более 155 млрд руб. в год. Сей- час в условиях кризиса и экономиче- ских санкций это звучит как что-то недостижимое. Может быть, поэто- му Минпромторг РФ пытается загля- нуть в своей стратегии по развитию отечественной радиоэлектроники как можно дальше. И вот уже заме- ститель министра промышленности и торговли Юрий Слюсарь предста- вил стратегию развития радиоэлек- тронной промышленности РФ аж до 2030 года. Документ предусматривает комплекс инструментов государствен- ной поддержки радиоэлектронной промышленности. Мы же от фантазий министерских чиновников вернёмся в сегодняшнюю реальность. Р ЕЗУЛЬТАТЫ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ Начало движения в заданном направ- лении по претворению в жизнь феде- ральной целевой программы наблюда- лось прежде всего в Зеленограде. Например, ещё в начале 2007 года Росимущество завершило сделку по приобретению акций лидера россий- ской микроэлектроники «ОАО «НИИМЭ и Микрон», подконтрольного концерну «Ситроникс», ранее известного как АФК «Система», контрольный пакет акций которого принадлежит известному биз- несмену Владимиру Евтушенкову, осво- бождённому недавно из-под домаш- него ареста. Стоимость сделки соста- вила около $10,5 млн. В декабре 2007 года «Микрон» посетил первый вице- премьер Сергей Иванов и осмотрел ряд производственных помещений завода. Он с удовлетворением отметил, что ско- ро «Микрон» перейдёт на новый уро- вень производства микросхем – 180 нм. По словам господина Иванова, «пред- приятие выходит на мировой уровень». В дальнейшем «Ситроникс» собирался перейти на производство интеграль- ных микросхем с топологическим раз- мером 130 нм, а в 2009 году – 90 нм. Но осуществились эти планы значитель- но позже. Реально на сегодняшний день в груп- пе компаний «Микрон» для разработки и производства микросхем использу- ются следующие технологические про- цессы [5]: ● EEPROM, КМОП: – проектная норма – 180 нм; – 4–6 металлов; – микросхемы с энергонезависи- мой памятью: микроконтроллеры 8–16 бит, память 4 Мб, чипы смарт- карт, чипы радиочастотной иден- тификации. ● Биполяр: – 7–45 В; – аналоговые ИС управления пита- нием; – линейные преобразователи; – операционные усилители; – ШИМ-контроллеры; – драйверы LED. ● КНИ: – проектная норма – 250 нм; – проектная норма – 180 нм (2012 год); – чипы памяти, микроконтроллеров, процессоров, ЦАП/АЦП с повы- шенными параметрами надёжно- сти. ● БиКМОП SiGe: – проектная норма – 250 нм (2011 год); – проектная норма – 180 нм (2012 год); – СВЧ и УВЧ до 10 ГГц (АФАР, кон- вертеры и синтезаторы для радиолокационных систем и спут- никовой связи). ● КМОП: – проектная норма – 90 нм (2012 год); – 6–9 металлов; – КМОП плюс встроенный флэш 90 нм (2013 год); – логика, микроконтроллеры, сис- темы-на-чипе. Такие же замедленные темпы раз- вития наблюдаются и на зеленоград- ском «Ангстреме». На поддержку это- го завода государство из бюджета 2007 года направило около $127 млн. И как результат этой поддержки – при- обретение заводом «Ангстрем» обору-