СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2014

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 19 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2014 электронике, СВЧ-технике, терагер- цовой и инфракрасной электронике, фотонной энергетике. Проект создаёт условия для прорыв- ной перестройки отечественной элек- тронной промышленности и уверен- ного вхождения в мировой рынок, зарождения новых сегментов элек- тронного рынка и возврата утрачен- ных позиций. Теоретические и технологические наработки проекта могут привести к элементам обогащения зонной тео- рии твёрдого тела. Проект имеет стратегическое зна- чение для энергетического контроля ближнего космоса. Проект исключительно важен с по- зиции импортозамещения, особен- но в части радиационно-стойкой эле- ментной базы. Л ИТЕРАТУРА 1. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полу- проводниковых приборов. Москва. Совет- ское радио. 1975 г. 2. Нашельский А.Я. Монокристаллы полупро- водников Si, Ge, GaAs, GaP. Москва. Метал- лургия. 1975 г. 3. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Москва. Наука. 1977 г. 4. Ашкинази Г., Войтович В., Лейбович М. и др. Влияние взаимодействия глубоких уровней на безизлучательную рекомби- нацию в эпитаксиальных слоях арсе- нида галлия. Известия Академии Наук Эстонии. Физика и математика, 1990 г. № 1 (39). С. 75–79. 5. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Король- ков В.И., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Инжекционные свойства гетеропере- ходов n -Al x Ga 1-x As – p-GaAs. ФТП (1968). Том 2. Вып. 7. С. 1016–1017. 6. Войтович В., Гордеев А., Думаневич А. GaAs-диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar Invertors и замены синхронных вы- прямителей. Силовая электроника. № 6. 2012 г. 7. Войтович В., Гордеев А., Думаневич А. Новые возможности GaAs силовой электроники. Силовая электроника. № 2. 2014 г. 8. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Третьяков Д.Н., Тучкевич В.М. Высоко- вольтные p-n-переходы в кристаллах Ga x Al 1-x As. ФТП (1967). Том1. С. 1579–1581. 9. Ашкинази Г., Золотаревский Л., Тимо- феев В., Мазо Л., Шульга А., Войтович В., Тагесаар М., Оленштейн И., Юйрике Х., Челноков В. Силовые высокотемператур- ные высокочастотные приборы на осно- ве арсенида галлия. Известия Академии наук Эстонской ССР. 1984 г. 10. Vainshtein S.N., Yuferev V.S., Kostamo- vaara J.T., Kulagina M.M., Moilanen H.T. Significant Effect of Emitter Area on the Efficiency, Stability and Reliability of Picosecond Switching in a GaAs Bipolar Transistor Structure. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 57. No. 4. 2010. 11. Sarkar T., Mazumder S.K. Epitaxial Design of Direct Optically Controlled GaAs/ AlGaAs – based Heterostructure Lateral Superjunction Power Device for Fast Repetitive Switching. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 54. No. 3. March, 2007. 12. Freescale Creates First Commercially Viable GaAs MOSFET Device. AUSTIN. Texas. Jan. 30, 2006. 13. Passlack M., Droopad R., Rajagopalan K., Abrokwah J., Zurcher P. HIGH MOBILITY III-VMOSFET TECHNOLOGY. CS Mantech Conference. May, 14-17. 2007. Austin. Texas. USA.