СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2014

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 11 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2014 ОФИЦИАЛЬНЫЙ ДИСТРИБЬЮТОР КОМПАНИИ LITEMAX • ЖК-дисплеи серии DURAPIXEL™ с яркостью от 800 до 2000 кд/м 2 • Размеры по диагонали от 6,5" до 60" • Разрешения от 640 x 480 до 1910 x 1080 (FHD) • Угол обзора 178° (во всех плоскостях) • Диапазон рабочих температур (некоторых моделей) –30...+85°С • Возможна установка сенсорного экрана, защитного стекла • Разнообразные конструктивные исполнения • Ресурс до 70 000 часов ХОРОШО ПОД СОЛНЦЕМ, ЕСЛИ ТЫ LITEMAX! Дисплеи сверхвысокой яркости GaAs E g = 1,43 эВ 0,026 эВ 0,002 эВ Si Si E v E C E i меси, проявляющими свойства акцеп- торов и доноров в полупроводнике одновременно) IV группы таблицы Менделеева. Эта технология была раз- работана в середине 60-х годов прош- лого столетия в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе (Санкт- Петербург). Фундаментальные осно- вы жидкостной эпитаксии GaAs отра- жены в монографии [1]. Особенностью LPE-технологии, отличающей её от газовой или моле- кулярной эпитаксий, является низко- температурный процесс кристаллиза- ции GaAs моноэпитаксиальных слоёв с получением уникального сочетания свойств i-GaAs слоя – исключительно низкая дефектность (ниже чем одна дислокация/мм 2 , при плотности в GaAs подложке – от 10 5 см –2 , высочайшая кристаллографическая однородность i-слоя, его высокая электропрочность (  30 В/мкм), великолепные изоляци- онные свойства, высокая подвижность электронов и др.). Вышеперечисленные ключевые свой- ства монокристаллических i-GaAs сло- ёв определяются высокой низкотемпе- ратурной растворимостью элементов IV группы таблицы Д.И. Менделеева в GaAs, их амфотерными свойствами (одновременное образование акцеп- торных и донорных уровней), в част- ности, атомов Si [2]. Атомы Si в LPE-процессе (как, впро- чем, и Ge), в отличие от газового и моле- кулярного выращивания i-GaAs слоя, образуют в запрещённой зоне «неклас- сические» глубокие уровни с высокой энергией ионизации (согласно класси- ческой модели [3] GaAs, атомы кремния образуют мелкие донорные и акцеп- торные уровни с низкими значениями энергии ионизации – 0,007 эВ и 0,05 эВ, соответственно). Кроме этого, в LPE i-GaAs техноло- гии обнаружены не характерные для других видов эпитаксии новые глубо- кие рекомбинационные центры [4], которые вносят существенный вклад в характеристики GaAs-приборов. LPE i-GaAs технология является одним из оснований качественных изменений в мировой электронной индустрии. За последние полвека, благодаря заслугам Г. Ашкинази и В. Войтовича, LPE i-GaAs технология заметно изменилась и пере- росла из «графитовой» (по типу оснаст- ки в реакторе) технологии Физтеха в «кварцевую», что привело к новым физическим открытиям в приборо- строении (в частности, к COOL-диодам) и обогащению зонной теории полупро- водников. Зонная энергетическая диаграм- ма GaAs [3], легированного атомами кремния, выглядит следующим обра- зом (см. рис. 1). Из физики полупроводниковых при- боров [3] известно, что значение энер- гии ионизации Боровской оболочной структуры электронной системы ато- ма отталкивается от энергии иониза- ции элемента под № 1 таблицы Мен- делеева – водорода (H + ), которая, как известно, равна 13,6 эВ (у атомов крем- ния энергия ионизации составляет 8,15 эВ). Значение энергии иониза- ции и акцепторной и донорной при- Рис. 1. Энергия ионизации атомов Si в GaAs