СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №5/2013

ке от внешнего источника напряжения внутри того же самого слоя полупро водника, в котором мог происходить вентильныйфотоэффект, происходит довольно интенсивное холодное све чение…». Чтобы выбрать наиболее под ходящий материал для изготовления фотоэлементов, Лосев исследовал раз личные полупроводники и в результа те выбрал кремний, который давал на ибольшую фоточувствительность. ВеликуюОтечественнуювойнуО.В.Ло сев встретил, работая на кафедре физи киПервого Ленинградскогомедицинс кого института. Он отказался от эвакуа ции и не прекратил своей научной дея тельности, оказывая помощь фронту. Имбылиразработаныэлектростимуля тор сердечной деятельности, портатив ныйприбор для обнаруженияметалли ческихосколковвранах, системапроти вопожарной сигнализации. Несмотря на язвеннуюболезньжелудкаинедоста точное питание, Лосев сдавал кровь для раненых. Всё это самым неблагоприят нымобразомсказалосьна его здоровье, и 22 января 1942 года Олег Владимиро вич Лосев скоропостижно скончался. З АКЛЮЧЕНИЕ Жизнь Олега Владимировича Лосе ва – яркая и трагичная. Она напоми нает сверкающий след метеора на не босклоне. В двадцать лет он делает от крытия, значимость которых мыначи наем понимать только теперь. В 35 лет ему присуждают учёную степень кан дидата физико математических наук. Его преданность науке не имеет гра ниц. Трагическая смерть в 38 лет от го лода в осаждённом Ленинграде вызы вает у нас скорбь и сострадание. Академик А.Ф. Иоффе писал [6]: «О.В. Лосев был талантливым и совер шенно оригинальным учёным и изоб ретателем,шедшимсвоимпутём, иногда предвосхищаяразвитиетехники. Егоре зультатыимеют значениекакдлярадио техники, так и для многообразных при мененийполупроводников. Явлениепа дающей характеристики было открыто еще в 1922 г. О.В. Лосевым на контакте стальнойпроволочкискристалломцин кита и некоторых других материалов. Впрочем, иввопросеозначенииP Nгра ницы приоритет принадлежит тому же О.В. Лосеву, который в последние годы своей жизни (1938–1939) изучал ви димые на глаз прослойки в кристаллах карборунда с противоположным меха низмом проводимости. Таким образом, О.В. Лосев не только подметил выпрям лениена границемеждуРиNкарборун дом, но и открыл и, по видимому, пра вильнообъяснил свечениеприпрохож дении тока через границу». Л ИТЕРАТУРА 1. Лосев О.В. Детектор генератор; детек тор усилитель. ТиТбп, № 14, июнь 1924, С. 374–386. 2. The Crystodyne Principle. Radio News, Sep tember, 1924, р. 294 295, 431 (http://ear lyradiohistory.us/1924cry.htm) . 3. Лебединский В.К. Первое выступление на мировой арене. Радиолюбитель, №8, 1924, С.115–116. 4. Лосев О.В. Действие контактных детекто ров: влияние температурына образование контакта. ТиТбп, №18, март 1923, С. 31–62. 5. Лосев О.В. Спектральное распределение вентильного фотоэффекта в монокрис таллах карборунда. Доклады АН СССР, т. 29, № 5–6, 1940, С. 360–364. 6. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников, AН СССР, М Л, 1957. 7. Опередивший время. Сборник статей. Н. Новгород, 2006. СОБЫТИЯ 74 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2013 Рис. 2. Электрическая схема комплексного стенда О.В. Лосева (на кристалле карборунда размещены 4 электрода) [7] Новости мира Рынок альтернативной памяти Рынок интегральных микросхем памяти следующего поколения находится в начале своего развития, но уже сейчас он доста точно интересен инвесторам и производи телям, чтобы анализировать и делать про гнозы. Аналитическая компания Research and Markets провела полномасштабное изучение рынка альтернативных запомина ющих устройств, результаты которого вы глядят следующим образом. Специалисты Research and Markets рас сматривают в качестве альтернативы совре менным микросхемам памяти следующие типы запоминающих устройств: магнеторе зистивную память (Magneto Resistive RAM, или MRAM), память на основе фазовых пе реходов (Phase Change RAM, или PCRAM), ферроэлектрическую память (Ferroelectric RAM, или FeRAM) и микросхемы памяти на основе мемристоров (MeRAM). Все они в бу дущем должны заменить энергонезависи мые устройства хранения информации, та кие как флэш память типа NAND и NOR. В этом случае на первый план выходят следу ющие характеристики: высокая скорость чтения и записи данных, возможность для масштабирования и высокая надёжность. Рассматривая рыночную долю каждого из альтернативных типов микросхем памя ти, исследователи пришли к выводу, что на ибольший интерес с коммерческой точки зрения представляют MRAM и FeRAM уст ройства. Память на основе фазовых перехо дов занимает совсем крошечную долю рын ка, а серийные микросхемы типа MeRAM во обще появятся только к концу 2013 года. Главной проблемой для производителей альтернативных устройств остаётся высо кая стоимость разработки, несовершенство технологического процесса и конструкции микросхем. Всё это не позволяет сделать продукцию по конкурентоспособной на ми ровом рынке цене. Впрочем, в долгосроч ной перспективе память нового поколения должна выиграть, ведь её главным преиму ществом является универсальность. Теоре тически это позволит заменить не только энергонезависимые устройства хранения информации, но и энергозависимые, в пер вую очередь, микросхемы оперативной па мяти. И вот здесь перед исследователями, разработчиками и непосредственно произ водителями встаёт задача быть в числе тех, кто первым освоит крупносерийный выпуск новых чипов. Рынок микросхем флэш па мяти поистине огромен по объёму, поэтому первому, выпустившему удачную замену, выпадет невероятный прибыльный куш. www.researchandmarkets.com