СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №3/2013

РЫНОК риаций атомной структуры, что про верено в ЗАО «Зеленоградский На ноцентр». 2. Наличие встроенной металлурги ческим путём постоянной экситон ной массы: , где N э – концентрация экситонов (электронно дырочных энергети чески свободных пар, что является проявлением тепловой генерации электронов и дырок атомами амфо терного кремния в решетке GaAs). 3. Одно из важнейших пограничных условий в базовом законе движения носителейвполупроводниках–урав нение непрерывности – не работает. Если классические значения , то в нашем i GaAs , где n i 0 э , p i 0 э – плотность экситонов. 4. Приодновременной суперинжекции электронов и Шокли инжекции ды рок плотность плазмы в кристалли ческой решётке GaAs i слоя может бытьв3–10развыше, чемвSi иливSiC. При достаточно больших значениях τ nn , τ np , τ pn , τ pp произведение n × p мо жет достигать огромных значений, что показано на смене знака диффе ренциальной проводимости [2]. 5. Требуется допустить в рассматри ваемых структурах одновременную бинарную2 стороннююсуперинжек циюэлектронов и дырок со значени ями n × p > 10 35 см –3 . Это – сверхкван товый эффект когерентного (хотя, строго говоря, не совсемкогерентно го) излучения, поскольку участвуют в этом мероприятии с «китайской» за селённостью потолка и дна запре щённой зоны носители, разные по эффективноймассе, сечениюзахвата, длине пробега. Суперинжекция сле ва/справа или справа/слева может быть 2 этажной, т.е. энергетически интегрально – 2 ярусной (при этом, конечно, она квантуется). 6. Фундамент классической инжек ции – уравнение Шокли – в COOL диоде не работает, поскольку диф ференциальное сопротивление пря мой ВАХ может быть и отрицатель ным, что и хорошо. 7. Ёмкость на p–n переходе в равно весном состоянии (при нулевом сме щении на p–n переходе) в 20–30 раз меньше, чем у аналогичных высоко вольтных кремниевых и карбид кремниевых диодов (биполярных или с барьеромШоттки). 8. Температурный градиент ВАХможет быть как положительным, так и от рицательным. Предельная рабочая температура +250…260 ° С и, возмож но, +300 ° С. 9. Время восстановления (запирания) диодаилине зависит от температуры, или улучшается (при приближении к предельной температуре +250 ° С). 10. В COOL диодах [2], в HBT и т.д., нет необходимости в традиционных, классических высокоомной базе (диод) или высокоомном коллекто 11 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 3 2013 Сегменты электроники Приборы, рынок Системы, оборудование, блоки Отрасль Базовый материал Структура направлений проекта Силовая электроника Высоковольтная СВЧ-электроника Фото- оптоэлектроника Диоды, тиристоры, транзисторы, модули на их основе, в т.ч. SMART-модули. $30 млрд – 2012 г. $60 млрд – 2025 г. Транзисторы: HBT, MOSFET, JFET. Диоды: Ганна, p-i-n, ЛПД. SMART-модули $8 млрд Солнечная энергетика, батареи; • оптодиоды; • оптотиристоры; • оптотранзисторы; • оптопары (оптоключи); • оптопреобразователи; • лазерные диоды; • лазерные ключи; • модули. $3,0 млрд 2012 г. Преобразователи для: • солнечной и ветряной энергетики; • светотехники; • бытовой электроники (компьютеры, пылесосы, стиральные машины, кондиционеры, телевизоры); • промышленный электропривод; • автоэлектроника; • РЖД, метрополитен; • ТЭК; • шахты; • сварка; • медицина; • оборонная техника. Т.е. буквально всё, где есть электроэнергия. $60 млрд – 2012 г. $100 млрд – 2025 г. $300 млрд – 2030 г. GPS, GSM, беспроводная (мобильная) связь, бытовая техника, навигаторы, радиолокация, сканирование Земли, погода, военная техника, СВЧ-светотехника (серые лампы). Солнечные электроблоки, модули, электростанции, оптопреобразователи, оптогенераторы, мощные промышленные и боевые лазеры, другое. Рынок от $10 млрд Высоковольтная GaAs, AIGaAs/GaAs электроника p-i-n GaAs, p-i-n AIGaAs/GaAs структуры Рис. 1. Структурная схема проекта ИСТОЧНИКИ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ Реклама