СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №2/2012

● вместо режима с фиксацией посто янного тока (CC) или постоянного напряжения (CV), обычно использу емого для заряда литий ионных ба тарей, это устройство использовало трапециевидный стабилизирован ный ток, чтобы довести батарею до полного заряда вблизи точки напря жения наполнения 4,2 В. На основании этих наблюдений сде ланы следующие выводы: ● быстрый заряд не являлся приори тетом; для более полного заряда ба тареи лучше подходил более медлен ный заряд в течение ночи; ● реальное конечное напряжения на полнения 4,199 В было близко к опти мальномудляданногоустройствазна чению,обеспечивающемубалансмеж дудлительнымсрокомслужбыбатареи и величинойнакопленного заряда. Далее, для проведения испытаний ба тареи мобильного телефона на разряд путём выполнения предписанной по следовательности мероприятий ис пользовалась установка, показанная на рисунке 2. Полярность подключения выходов N6781A была изменена на противоположную, чтобы получить положительные отсчёты тока и мощ ности. Результаты измерения разряда батареи, зафиксированные и отобра жённые на дисплее с помощью про граммного обеспечения 14585A, пока заны на рисунке 4. Установка измери тельных маркеров в точке запуска и в точке отключения даёт следующие ре зультаты: ● среднее и пиковое значения тока составили 0,233 и 1,29 А соответ ственно; ● заряд и энергия, произведённые ба тареей, составили 843 мАч и 3,19 Втч соответственно; ● мобильный телефон работал в тече ние 3 ч 38 мин до отключения из за разряда батареи до 3,44 В. На основании этих наблюдений сде ланы выводы: ● фактическое значение заряда оказа лось на 16% меньше заявленной ём кости батареи; ● напряжение прекращения разряда батареи было выше, чем заданное значение. З АКЛЮЧЕНИЕ В силу взаимозависимости пара метров функционирования системы управления аккумуляторной батареей и самой батареи они должны про веряться и по отдельности, и вместе, как единая система. В результате тес тирования можно определить ряд параметров, которые необходимо оптимизировать, чтобы они соответ ствовали показателям, задаваемым в проекте мобильного устройства. При ведённые в данной статье примеры испытаний выполнялись с использо ванием установки, имеющей доста точно высокие измерительные харак теристики. Их результаты показыва ют, что определение фактических профилей заряда и разряда аккумуля торной батареи позволяет оценить ра боту системы управления батареей вместе с самой батареей. В конечном итоге это помогает оптимизировать разработку и обеспечить соответствие характеристик батареи заданным по казателям. ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ 34 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2012 Время 24 мин./дел. Напряжение, 1В/дел. Ток, 1 А/дел. Мощность, 5 Вт/дел. Рис. 4. Результаты измерения профиля разряда батареи Новости мира Учёные из IBM создали первые 9 нм транзисторы из углеродных нанотрубок Углеродные нанотрубки – весьма пер спективные структуры. Кроме того, что вни мание учёных они привлекают благодаря своим выдающимся механическим свой ствам, они также весьма интересны для применения в электронике. Учёные уже вы яснили принципы создания годных к при менению электрических кабелей при помо щи углеродных цилиндрических структур, а затем принялись за создание очень ком пактных транзисторов при помощи этого материала. В лабораториях IBM исследо вателям удалось недавно создать углерод ный транзистор, размер которого состав ляет всего 9 нм. В этом году корпорация Intel намерена выпустить свои первые процессоры с 22 нм транзисторами, которые носят кодовое имя Ivy Bridge. Кремний будет использо ваться в индустрии ещё долго, однако его потенциал подходит к пределу, а токи уте чек постоянно растут, из за чего исследо ватели активно ищут материал, который придёт ему на смену. Эти новые прототи пы углеродных транзисторов, создаваемых IBM, могут со временем стать хорошей аль тернативой для применения в микропро цессорах и других интегральных схемах. Сообщается, что 9 нм транзисторы IBM могут обеспечить куда меньшее энергопо требление, чем их кремниевые аналоги то го же размера. Они также могут проводить больший ток, чем конкурирующие транзис торы. Увы, но технологии, используемые для создания транзисторов на основе углерод ных нанотрубок, в настоящее время не мо гут применяться в массовом производстве. Учёные пока не разработали способа, при помощи которого могло бы стать возмож ным эффективное размещение миллионов и миллиардов таких транзисторов, необхо димых для создания современных чипов. Создание нанотрубок без металлических примесей также является сложной задачей. http://techreport.com/ © СТА-ПРЕСС