СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №2/2012

ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ ных ДИН, характеризует не только ка чество прибора, но и технологию его монтажа в корпус. Использование мощных транзисто ров на основе GaN с теплопроводящей подложкой, тепловое сопротивление которых значительно ниже, чем у при боров на основе GaAs, предъявляет по вышенные требования не только к ка честву монтажа кристаллов транзис тора в корпус, но и к материалам и конструкции самого корпуса. Измеритель анализатор Л2 108 с набором дополнительных опций поз воляет оперативно контролировать тепловое сопротивление транзисторов и интерпретировать полученные ре зультаты. Л ИТЕРАТУРА 1. Госстандарт РФ. Описание типа средства измерений. Приложение к свидетельству RU.C.34.083.A № 42329 об утверждении типа средств измерений. 2. Измеритель анализатор автоматизиро ванный импульсный статических вольт амперных характеристик полевых СВЧ транзисторов Л2 108. Руководство по эксплуатации 6687 008 63533393 2010 РЭ. 3. ОСТ 11 0944 96. 4. Szekely V. On the representation of infinite length distributed RC one ports. IEEE Trans. on Circuits and Systems. 1991. Vol. 38. PP. 711–719. 5. Rencz M., Szekely V. Determining partial ther mal resistances in a heat flow path with the help of transient measurements. Proc. of the 7 THERMINIC Workshop, 27–27 Sept. 2001. Paris. PP. 250–256. 6. Poppe A. Measurement, modeling and simula tion of thermal dynamics in microelectronic structures. Technical report, REASON Tutorial «Half day on Thermal Issues in Microelectro nics». http://reason.imio.pw.edu.pl . 2003. 31 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2012 Рис. 7. Два способа управления импульсами тока стока транзистора на основе GaN Реклама © СТА-ПРЕСС