СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №2/2012

этой конструкции в диапазоне ДИН от 0,5 до 500 мс. По той же причине, как и для транзисторов GaAs, при ДИН более 200 мс наблюдался рост ТС. Транзис! тор№1 при малых ДИН имел большее ТС из!за низкой теплопроводности клеевого соединения по сравнению с припоем. При больших ДИН он замет! но выигрывал благодаря большой теп! лоёмкости массивного теплоотвода. Тепловое сопротивление обоих тран! зисторов на основе GaAs было измере! но первым способом, при которомТЧП является падениемнапряжения на пря! мосмещённом затворе, однако попыт! ка измерить тем же способом ТС тран! ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ 30 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2012 зисторов GaN привела к совершенно неправдоподобным результатам. При уменьшении ДИН тепловое сопротив! ление не снижалось, а иногда даже рос! ло. Такое поведение можно объяснить наличием в материале электрически активных дефектов (ЭАД), создающих глубокие уровни в запрещённой зоне. Поскольку при переходе от режима нагрева к режиму измерения ТЧП по! тенциал затвора сильно изменялся, медленная перезарядка ЭАД, находя! щихся вблизи барьера Шоттки, замет! но влияла на процесс релаксации. Измерение ТС транзисторов GaN вторым способом было более успеш! ным, так как здесь потенциал затвора устанавливался неизменным в течение всего процесса измерения, а сопротив! ление канала измерялось вдали от об! ласти насыщения, т.е. при незначи! тельном влиянии затвора. О наличии ЭАД в области барьера Шоттки можно судить и по семейству импульсных ВАХ, полученных с по! мощью прибора Л2!108. Например, на рисунке 6 видно взаимное влияние ли! ний ВАХ друг на друга. Кажется, что по! тенциал затвора переключается с не! которой задержкой и его значение за! метно отличается от равновесного. На рисунке 7 приведены две линии ВАХ, измеренные при одинаковых напряже! ниях на стоке и затворе, но при различ! ных способах управления импульсами тока стока. Видно, что при управлении по затвору модуляция канала происхо! дит с опозданием, т.е. за время импуль! са ЭАД не успевают изменить заряд и препятствуют отпиранию канала. Это приводит к снижению тока стока. Следует отметить, что подобное по! ведение ВАХ демонстрировали тран! зисторы на основе GaN, имеющиеся в нашем распоряжении. Необходимо иметь в виду, что влияние ЭАД в дру! гих приборах может быть совершен! но иным, поэтому для каждого типа приборов необходимо подбирать свои способы и режимы измерения ТС. З АКЛЮЧЕНИЕ Значение теплового сопротивления транзисторов, измеренное при различ! Рис. 4. Пример представления результатов измерения ТС Рис. 6. Взаимное влияние линий ВАХ транзистора на основе GaN из за наличия ЭАД Рис. 5. Зависимости ТС от ДИН © СТА-ПРЕСС