СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №2/2012

Эти параметры встречаются во всех видах оборудования ФОГФ, тогда как для отдельных групп оборудования добавляются дополнительные опера ционные параметры. Например, для распылительных систем с магнитны ми полями это может быть индукция магнитного поля ( B ) и диапазон её воз можного изменения ( Δ B ); для оборудо вания с перемещением подложкодер жателей – скорость вращения (rota tion) ( ω r ) илиперемещения (travel) ( v tr ) подложкодержателя, и т.д. Совокупность значений операци онных параметров определяет режим (recipe) осаждения и служит для полу чения требуемых технологических характеристик процесса ФОГФфунк ционального слоя, которые, в свою очередь, определяют параметры вы ходной структуры с операции ФОГФ при заданных параметрах входной структуры. Управляющие ЭВМ на современном оборудовании ФОГФ контролируют с помощью измери тельных приборов (датчиков) значе ния операционных параметров и поддерживают их в требуемых тех нологических допусках с помощью прецизионных регуляторов. Параметры оборудования ФОГФ, ко торые связаны с конструкционными особенностями, ноопределяют его тех нологические возможностипообработ ке подложек в процессе производства изделий, называются конструкционно технологическими. Ктакимпараметрам относятся: 1) операционная производительность установки (производительность уста новки без проведения процесса ХОГФ), определяемая как: Y op = 60 q w / t tr [пластин/час], (14) где q w – количество одновременно об рабатываемых в установке пластин, t t – подготовительное время установки в минутах к проведению процесса ФОГФ, включающее для автоматизи рованной кластерной установки: ● выгрузку кассеты с пластинами из СМИФ контейнера; ● напуск газа в шлюзовую камеру (venting); ● открытие шлюзовой камеры и за грузку кассеты пластин в шлюзовую камеру; ● проверку количества и положения пластин в кассете (mapping) и откач ку шлюзовой камеры (pumping); ● перемещение пластины (пластин) из кассеты в рабочую камеру; ● откачку камеры, напуск в неё рабо чих газов и стабилизацию давления в ней; ● выгрузку пластины (пластин) из ра бочей камеры в кассету шлюзовой камеры; ● напуск газа в шлюзовую камеру, от крытие шлюзовой камеры и выгруз ку кассеты с пластинами из шлюзо вой камеры в СМИФ контейнер. Операционная производительность характеризует быстродействие функ циональных узлов установки и выби рается из условий максимальной на дёжности их работы и минимальной привносимой дефектности; 2) технологическая производитель ность установки, определяемая как Y T = 60 q w / t c = 60 q w /( t tr + t d ) [пластин/час], (15) где t c = t tr + t d является длительностью в минутах цикла обработки пластины (пластин) на установке, состоящей из подготовительного времени ( t tr ) и вре мени осаждения ФС ( t d ); 3) среднее время наработки установ ки на отказ (fault), определяемое по формуле: t f = ( t 1 + t 2 +…+ t n )/ n f , (16) где t 1 , t 2 , …, t n – время обработки плас тин между отказами установки за нор мативный срок (в качестве норматив ного срока обычно выбирается один, три или шесть месяцев эксплуатации оборудования), n f – количество отка зов за нормативный срок. Значение t f характеризует надёжность установки в производственных условиях; 4) коэффициент использования (uti lize) установки, определяемый пофор муле: k u = t T / t cal , (17) где t cal – календарное время работы участка, на котором находится уста новка ХОГФ, в сутки, t T – технологи чески заданное время обработки пластин на установке в сутки. Значе ние k u характеризует длительность регламентной подготовки установки к проведению технологических опе раций ФОГФ; 5) коэффициент готовности (ready) установки, определяемый как: k r = t w / t T , (18) где t w – время безотказной работы (up time) установки в течение технологи чески заданного времени. Значение k r характеризует ремонтоспособность оборудования, т.е. допустимость его ремонта в течение времени не более t T (1 – k r ) для технологически заданно го времени работы установки; 6) плотность привносимой установ кой (tool) дефектности на поверх ность пластины ( D t ) без проведения на ней процесса ФОГФ ФС определя ется по формуле (13), где D ta и D tb – количество губительных дефектов на пластине соответственно до её входа в установку и после её выхода из уста новки без проведения на установке процесса ФОГФ. Значение D t служит для оценки качества устройств за грузки и перемещения пластин внут ри установки, систем откачки и на пуска газов, чистоты газовых маги стралей и внутренних поверхностей камер и оснастки. Значение D t вхо дит в суммарную плотность привно симой операцией ФОГФ дефектнос ти D op (см. (13)). Л ИТЕРАТУРА 1. Киреев В.Ю. Введение в технологии мик роэлектроники и нанотехнологии. ФГУП «ЦНИИХМ», 2008. 2. Сейсян Р. Нанолитография СБИС в экстре мально дальнем вакуумном ультрафиоле те. Журнал технической физики. 2005. Т. 75. Вып. 5. С. 1–3. 3. Бабкин С.И., Киреев В.Ю. Процессы и обо рудование физического осаждения из га зовой фазы в технологии интегральных микросхем. Известия вузов: Электроника. 2002. № 1. С. 7–22. 4. Берлин Е.В., Сейдман Л.А. Ионно плазмен ные процессы в тонкоплёночной техно логии. Техносфера, 2010. 5. Киреев В., Столяров А. Технологии микро электроники. Химическое осаждение из газовой фазы. Техносфера, 2006. 6. Бери Р., Холл П., Гаррис М. Тонкоплёночная технология. Энергия, 1972. 7. Данилин Б.С. Применение низкотемпера турной плазмы для нанесения тонких плё нок. Энергоатомиздат, 1989. 8. Технология тонких плёнок. Справочник под ред. Л. Майссела и Р. Глэнга. Советское радио, 1977. СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 18 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2012 © СТА-ПРЕСС