СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №1/2012

Основанная в 1983 г. докторомНата ном Зоммером, компания IXYS (США) достаточно быстро заняла лидирую щие позиции на рынке высоковольт ных силовых полупроводниковых приборов в США. В течение ряда лет компанией был приобретён ряд про изводителей полупроводниковых и электронных приборов, в том числе Direct Energy Inc. (быстродействующие силовые приборы), Westcode Semicon ductor Limited (приборы большой мощности), MicroWave Technology Inc. (ВЧ/СВЧ полупроводниковые прибо рыи устройства), Leadis Technology Inc. (драйверы светодиодов и дисплеев), Zilog Inc. (микропроцессоры и сис темы на кристалле). Таким образом, компания IXYS стала одним из веду щих производителей разнообразных полупроводниковых изделий и уст ройств. В настоящее время продукция компании покрывает до 90% номен клатуры мирового рынка силовой электроники [1]. Компания IXYS выпускает продук цию для силовой электроники в сле ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 16 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 1 2012 дующих категориях: дискретныеМОП транзисторы, IGBT (биполярные тран зисторы с изолированным затвором), тиристоры и модули на их основе; ди одыи диодные сборки; корректоры ко эффициента мощности; высоковольт ные регуляторы; переключатели; при боры защиты; алюминиевые подложки DCB (Direct Copper Bonded); выпрями тели и IGBT в корпусах для монтажа на поверхность. В каталоге IXYS от 2011 г. представле на широкая номенклатура МОП моду лей различных конфигураций; все приборы компании разделены на группы [2]. Классификационные пара метры силовых модулей приведены в таблице. В подстрочных индексах (в таблице и далее по тексту) указана тем пература измерения ( ° С). H Bridge – Н мостовые модули с n канальными МОП транзисторами се мейства HDMOS, оппозитными (встро енными, защитными) диодами и встроенными терморезисторами с от рицательным ТКС, выполненные в корпусах ECO PAC 2 (см. рис. 1) и V2 Pack (см. рис. 2). Модули имеют следу ющие особенности: ● электрически изолированное осно вание, выполненное по технологии DCB, обеспечивает хороший отвод тепла от кристаллов и повышенную стойкость к термоциклированию; ● инверторы выполнены по техноло гии HiPerFET (семейство HDMOS) с низким сопротивлением сток исток в открытом состоянии ( R ds on ), ма лым зарядом переключения затвора и высоким быстродействием; ● высокая надёжность при работе на индуктивные нагрузки (UIS, Un clamped Inductive Switching) [3]; ● устойчивость к высокой скорости нарастания напряжения ( dv / dt rug gedness). Области применения приборов, ре комендованные изготовителем: драй веры приводов двигателей и источни ки питания; управление системами батарей и топливных элементов; авто мобильное оборудование, промыш ленные средства передвижения (Indus trial Vehicle); схемы мощных источ ников вторичного электропитания; схемы импульсных источников пер вичного электропитания (прибор VBH 40 05B со встроенным мостовым вы прямителем). Phase Leg (однофазные приборы) – модули, состоящие из двух комплемен тарных или n канальных МОП тран зисторов с оппозитными диодами и терморезисторами с отрицательным ТКС (в ряде приборов). Транзисторы модулей выполнены по технологиям HiPerFET, Polar P &N Channel, Trench P & N Channel, PolarHV HiPerFET, Trench Gate HiperFET, TrenchT2HiperFET в кор пусах ISOPLUS i4 Pak (см. рис. 3), Y3 Li (с низкой индуктивностью соедине ний, см. рис. 4), Y3 DCB, Y4 M5 (прибор VMM85 02F, структура и внешний вид см. на рис. 5), ТО 240АА (прибор VMM45 02F, структура и внешний вид см. на рис. 6). Изолированные основа ния всех модулей рассматриваемой группы реализованы по технологии DCB. Приведём основные особенности перспективных приборов группы Phase Leg, справочные листки на кото рые выпущены в 2008–2011 гг.: Рис. 1. Внешний вид модулей в корпусе ECO PAC Рис. 2. Внешний вид модулей в корпусе V2 Pack Изолированный выступ 1 5 Рис. 3. Внешний вид модулей в корпусе ISOPLUS i4 Pak Рис. 4. Внешний вид модулей в корпусе Y3 Li Особенности и параметры силовых модулей на МОП транзисторах компании IXYS Юрий Петропавловский (Ростовская обл.) В статье рассмотрены номенклатура, параметры и конструктивные особенности современных силовых модулей на МОП транзисторах компании IXYS. © СТА-ПРЕСС