Современная электроника №5/2020

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 39 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2020 мы проходят полный цикл испытаний в лабораториях KYEC иGlobal Test. Фун- даментальным отличиемGSI Technology от других производителей является кон- цепция использования одного мастер- кристалла в нескольких микросхемах. Такая модель производства обладает рядом решающих преимуществ: ● конкурентные цены; ● короткий срок производства. На скла- де всегда поддерживается запас из не- скольких тысяч мастер-кристаллов; ● длительный срок жизни микросхемы; ● универсальность микросхем с про- граммно-управляемыми функциями; ● количество в минимальном заказе значительно меньше, чем у анало- гичных производителей. В настоящее время GSI выпускает самую широкую продуктовую линейку SRAM-памяти – более 15 000 децималь- ных номеров. Этот факт даёт возмож- ностьразработчикамрадиоэлектронно- гооборудования выбратьмикросхемупо требуемым параметрам и гибко настро- ить еёпод своюзадачу. Микросхемысни- маются с производства только по двум причинам, аименно: закрываютсяфабри- кипоставщиков или отсутствует спрос. Карта продуктов На рисунке 3 представлены основ- ные семейства микросхем памяти GSI. Несмотря на то что корпоративная политика GSI Technology направлена на производство и развитие статиче- ской памяти большого объёма и высо- кой производительности, асинхронная SRAM-память GSI также пользуется боль- шим спросом. Связано это, прежде всего, с тем, что другие производители прекра- тили выпуск некоторых своих моделей, и их клиенты вынуждены искать ана- логи у более надёжного производите- ля. Микросхемы асинхронной SRAM от различных производителей явля- ются полностью взаимозаменяемыми. Для подбора аналогов на сайте GSI реа- лизован удобный поиск. В техническом описании нумерация выводов адреса и данныхможет отличаться, но это не вли- яет на работу микросхемы. Асинхрон- ная память GSI представлена достаточ- но широкой линейкой продуктов: ● объём памяти от 1 до 9 Мбит; ● архитектура х4/8/16/24/32; ● время доступа 8/10/12 нс; ● напряжение питания 3,3 В; ● корпуса TSOP-II, 119-BGA и FPBGA 6 × 8 или 6 × 10 мм; ● индустриальное или коммерческое исполнение. GSI производит микросхемы памяти не только самой высокой производи- тельности в мире (скорость доступа до 2 млрд транзакций в секунду и полоса пропускания 163 Гбит/с), но и самого Рис. 2. Срок жизни микросхем GSI Рис. 3. Основные семейства микросхем памяти GSI 576 Мб GS78x 8 нс GS82564 400 МГц GS82582 550 МГц GS82583 675 МГц GS4576 533 МГц GS4288 533 МГц GS81302A 633 МГц GS81313 833 МГц, ЕСС GS81314х 1333 МГц, ЕСС, MBank GS81314х 933 МГц, ЕСС, SBank GS8673 725 МГц, ЕСС GS8662 633 МГц GS8342 550 МГц GS8182 550 МГц GS81302 500 МГц GS864x 300 МГц GS832x 400 МГц GS816x 400 МГц GS88x 250 МГц GS84x 250 МГц GS8128х 400 МГц GS81284 250 МГц GS74x 8 нс GS71x, 72х 8 нс BURST/NBT SRAM 100-TQFP, 119-BGA 165-BGA, 209-BGA Pipeline/FlowTrough TSOP-II, fpBGA Async SRAM II/II+ поколение 256-BGA, ReadLatency 1.5-2.5 IV поколение 260-BGA, ReadLatency 5/6 III поколение 260-BGA, ReadLatency 3 SigmaQuad и SigmaDDR SRAMs LLDRAM II поколение 144-BGA, tRC, 15 нс 288 Мб 144 Мб 72 Мб 36 Мб 18 Мб 8/9 Мб 4 Мб 1...2 Мб