СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №4/2015

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 49 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2015 а I D , мА V DS , В б I D , мА V DS , В 80 60 40 20 100 150 200 250 300 Т, К 50 g M , мА/В Крутизна приW = 50 000 мкм, I D = 4 мА; Крутизна при W = 5 000 мкм, I D = 4 мА; Крутизна при W = 5 000 мкм, I D = 0,4 мА 22. Manfredi P.F. Monolithic JFET Preamplifier with Nonresistive Charge Reset. IEEE Transactions on Nuclear Science. Vol. 45. 1998. P. 2257–2260. 23. Charge Sensitive Preamplifier. A-250.A New State-of-the-Art. www.amptek.com . 24. A250 Application Notes. (AN250-2, Revi- sion 3). www.amptek.com . 25. Broadbent S.B. CMOS Operation BelowFree- zeout. Proceedings of theWorkshop on Low Temperature Semiconductor Electronics. 1989. P. 43–47. 26. Hanamura S. Operation of Bulk CMOS Devi- cesatVeryLowTemperatures.IEEEJournalof Solid-StateCircuits.Vol.21.N3.1986.P.484–490. 27. АбрамовИ.И.,ДворниковО.В. Проектирова- ниеаналоговыхмикросхемдляпрецизион- ных измерительных систем. Минск. 2006. Рис. 12. Температурная зависимость крутизны (g M ) p-канальных ПТП c L = 1,2 мкм, сформированных по техмаршруту DMILL [10] Рис. 11. Зависимость I D от V DS для p-ПТП АБМК-1.3 при V GS = 0 и разных температурах: а – в диапазоне температур от –110 до 110 ° С; б – в диапазоне температур от –200 до –120 ° С 28. Дворников О.В. Проектирование анало- говых микросхем на МОП-транзисторах. Часть 1: Малосигнальная модель МОП- транзистора с источниками шумов. Элек- тронные компоненты. №8. 2009. С. 52–55. 29. Прокопенко Н.Н. Элементная база радиа- ционно-стойких информационно-изме- рительных систем. Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС». 2011. © СТА-ПРЕСС