СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №4/2015

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 45 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2015 Необходимость проектирования низ- котемпературной электроники для кос- мических применений подтверждает- ся рядом примеров. Так, в Основах государственной политики РФ в области космической деятельности на период до 2030 года и дальнейшую перспективу, установле- но, что в государственные интересы РФ в области космической деятельности входит получение научных данных о космосе, Земле и других небесных телах, в том числе исследование Луны, Марса, других тел Солнечной систе- мы. Поэтому одной из главных целей в области космической деятельности является создание научно-техниче- ского и технологического потенциа- лов в целях обеспечения готовности и реализации масштабных космиче- ских проектов по углублённому изу- чению Вселенной и Солнечной систе- мы (в первую очередь, окололунного пространства, Луны и Марса). По словам главыНПО им. С.А. Лавоч- кина Виктора Хартова в список из семи критических технологий, лежащих в основе планируемых к реализации программ изучения поверхности Луны и Марса, входят «технологии высоко- точной и безопасной посадки, техно- логии глубинного (не менее 2 метров) забора грунта, технологии робототех- нических средств стыковки и захвата орбитальных объектов в автоматиче- ском режиме, высоко- и низкотемпера- турная электроника». Проблемам низкотемпературной электроники уделяют большое вни- мание специалисты как в США [8], так и в Европе [9]. Исследования прово- дятся по следующим основным направ- лениям: ● применение новых материалов (Ge, SiGe, GaAs, InGaAs/InAlAs, GaN/AlGaN), техмаршрутов, модернизация транзи- сторов для работы при температуре жидкого азота ижидкого гелия, в том числе, кремниевых полевых транзи- сторов с p-n-переходом (ПТП) [3, 9, 10], БТ [11, 12] иМДП-транзисторов [10, 13], Ge ПТ [14], GaAs ПТП [15, 16], крем- ний-германиевых биполярных гете- ротранзисторов (SiGe HBT) [17–19]; ● создание новых средств измерений, моделирования и проектирования низкотемпературных ИС; уточне- ние Spice-моделей кремниевых инте- Таблица 2. Средняя температура на космических аппаратах около разных планет [8] Наименование планеты Средняя температура K °C Марс 226 –47 Марс (поверхность) 153…293 –120…20 Луна (полюса) 38 –235 Юпитер 122 –151 Сатурн 90 –183 Уран 64 –209 Нептун 51 –222 Плутон 44 –229 гральных элементов для температур ниже 40 K [14, 20]; ● исследование параметров серийно выпускаемых ИС и электрорадиоэ- лементов (резисторов, конденсато- ров, индуктивностей) при низких температурах [17, 21]. Криогенные аналоговые микросхе- мы широко применяются в приборах ядерной электроники для регистрации сверхмалых сигналов различных детек- торов частиц, ионизирующих и опти- ческих излучений. При этом, чаще все- го, в качестве входного малошумящего транзистора используется охлаждае- мый кремниевый ПТП [22–24]. Активный компонент вашего бизнеса Различные решения по подбору элементной базы Осуществление поставок комплектующих для серийного производства и новых разработок Поддержка склада Оказание технической и информационной поддержки +7 (495) 232-2522 INFO@PROCHIP.RU WWW.PROCHIP.RU © СТА-ПРЕСС