СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №8/2014

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ 96 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2014 Научно-технический совет «ПРОТИВ» Коллеги, в журнале «Современная электроника» (№ 6/2014) опубликована статья «Новая экстремальная электроника на основе LPE i-GaAs монокристаллов» под авторством В. Войтовича, А. Думаневича и А. Гордеева. Авторы данной статьи полагают, что ими разработана «обновлённая технологическая платформа и новая концепция развития отечественной и мировой высокотемпературной гиперскоростной электроники». При этом отмечено, что «основным тормозным риском запуска, адаптации и развития проекта в России является элементарное невежество и безграмотность на почве «силиконового дарвинизма». Под моим непосредственным руководством предложения этих авторов рассматривались дважды, в том числе с широким рассмотрением на научно-техническом совете ОАО «НИИМЭ и Микрон». Следовательно, я и ещё десятки ведущих специалистов России (члены нашего НТС и эксперты, давшие заключения по проекту) обвинены в «невежестве и безграмотности» людьми, которые за последние 15 лет ничего не сделали в отечественной электронике. В связи с тем, что опубликованная статья может создать неверное представление о поднятых в ней вопросах и царящем «невежестве» в научно-технических кругах отечественной микроэлектроники, предлагаю опубликовать решение НТС нашего предприятия по рассмотрению проекта «Создание производства высокотемпературной высоковольтной силовой, фото- и СВЧ-гетероэлектроники на основе GaAs» указанных авторов. Н.А. Шелепин, д.т.н., заместитель генерального директора по науке ОАО «НИИМЭ и Микрон» 26 февраля 2014 года на базе ОАО «НИИМЭ и Микрон» состоялось засе- дание научно-технического совета (НТС) предприятия с участием при- глашенных экспертов. На рассмотре- ние был вынесен проект «Создание про- изводства высокотемпературной, сило- вой фото- и СВЧ-гетероэлектроники на основе GaAS» (авторы: В.Е. Войтович, А.И. Гордеев, А.Н. Думаневич). Доклад сотрудника ООО «Интелсоб» (г. Саранск) А.И. Гордеева был выслу- шан начальником отдела В.К. Селец- ким, инвестором проекта О. Шуль- цем, представителями фирмы «Cresco» (г. Таллин, Эстония), главным кон- структором ОАО «ВЗПП-Микрон» Ю.Л. Фоменко, генеральным дирек- тором ЗАО «ЭПИЭЛ» В.Н. Стаценко и 24 членами НТС. Оппонентом высту- пил Н.А. Шелепин. На заседании НТС выступили: д.т.н. Н.А. Шелепин, д.т.н. Е.С. Горнев, д.т.н. А.С. Валеев, д.ф-м.н. А.И. Итальянцев, к.ф-м.н. И.В. Матюшкин, к.т.н. А.П. Нечи- поренко, нач. отд. В.К. Селецкий и инве- стор проекта О. Шульц. Также были зачитаны заключения экспертов: ● В.П. Чалого, генерального дирек- тора ЗАО «Светлана-рост» (Санкт- Петербург); ● П.А. Иванова, в.н.с. ФТИим. А.Ф. Иоффе; ● А.В. Петрова, генерального директо- ра ОАО «ОКБ Планета». Было отмечено, что проект был рас- смотрен на НТС ОАО «Российская элек- троника» и не получил одобрения. Заслушав и обсудив доклад по про- екту «Создание производства высоко- температурной, силовой фото- и СВЧ- гетероэлектроники на основе GaAs» (авторы В.Е. Войтович, А.И. Гордеев, А.Н. Думаневич),НТСотметилследующее. 1. Авторы проекта предлагают разра- ботать и запустить в производство широкий класс изделий микро- электроники на основе GaAs, в том числе, по всей вероятности, обла- дающих новизной конструкции. На это указывают представленные патенты на изобретения на диоды и тиристоры, а также на биполяр- ные GaAs-транзисторы. Из этих раз- работок лишь для высоковольтного (300…600 В) p-i-n-диода в проекте представлены фактические данные, лежащие в области классических представлений и указывающие на хорошее структурное совершен- ство i-GaAs-слоёв, использованных в этих приборных структурах. Других фактических данных о достижени- ях в приборной части в проекте нет. 2. Объективная доказательнаябаза, пред- ставленная впроекте, неадекватна заяв- леннойактуальностиипрактической ценности. Декларируемыепрорывные достижения вобластиразличныхпри- боров GaAs при использовании жид- костной эпитаксии ничем не под- твержденывпроекте. Гипотетические успехиавторысвязывают с достижени- ем предельно малых (порядка 10 нм) топологических размеров, что никак не связано с темой проекта и заслуга- миавторов, либов качествеобоснова- нияпредлагаютсяложныефизические посылки. Это относится, например, к неверному пониманию конденси- рованногосостояния вполупроводни- ках, чтоприводит авторов кневерному выводу о нарушении закона действу- ющихмасс в равновесном состоянии ипроявлениюэкситонов. Кроме того, допущены очевидно некорректные сравнения i-GaAs, получаемого авто- рами проекта, с зарубежными анало- гами, из которых, вчастности, следует, что за рубежомвообще не существует полуизолирующегоGaAs. 3. Заявленная широта возможных достижений предлагаемой техноло- гии ничем не обоснована (то есть ни теоретически, ни эксперименталь- но). Следовательно авторы проекта или некомпетентны в предлагаемых ими научно-технических и техноло- гических решениях, или умышленно вводят в заблуждение органы и орга- низации, которым направляется про- ект для предложений его поддержки. 4. Данный проект был рассмотрен на НТС ОАО «Российская электроника» и не получил какой-либо поддерж- ки по причине необоснованности заявленных результатов предлага- емых технологий. Результатом работыНТС стало едино- гласное решение – считать представ- ленный проект необоснованным. Данное решение было направлено в адрес ОАО «РТИ», РОСНАНО и Фон- да Сколково. © СТА-ПРЕСС