СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №8/2014

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 34 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2014 ∼ 220 В ∼ 220 В LED+ LED– 1 1 1 1 4 3 4 6 VDD VIN GND PWM_D GATE HV9910B CS RT LD Q1 D1 5 7 4 2 8 1 2 2 2 3 LED+ LED– ∼ 220 В ∼ 220 В 1 1 1 1 4 3 4 6 VDD VIN GND PWM_D GATE HV9910B CS RT LD Q1 D1 5 7 4 2 8 1 2 2 2 3 LED+ LED– ∼ 220 В ∼ 220 В 1 1 1 1 4 3 4 6 VDD VIN GND PWM_D GATE HV9910B CS RT LD Q1 D1 5 7 4 2 8 1 2 2 2 3 Рис. 5. Импульсный неизолированный понижающий светодиодный драйвер на ИС HV9910B Рис. 6. Импульсный неизолированный повышающий светодиодный драйвер на ИС HV9910B Рис. 7. Импульсный неизолированный понижающе-повышающий светодиодный драйвер на ИС HV9910B ме тока через индуктивность, то есть в пограничном режиме между режимом прерывистого (снижение до нулевого уровня) и непрерывного тока через индуктивность. Здесь транзистор Q1 открывается в тот момент, когда ток в индуктивности (дросселе) и диоде D1 достигает нулевого значения, сле- довательно, в этом режиме отсутствуют потери на восстановление обратного сопротивления диода D1 и на переза- рядку ёмкости сток-исток транзистора Q1 во время резонанса с индуктивно- стью. Поэтому в светодиодных драйве- рах с данными микросхемами умень- © СТА-ПРЕСС