СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №5/2014

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 15 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2014 только в плане возможных направле- ний применения электронных GaAs компонентов, созданных на базе i-GaAs технологии. Ещё одним потенциально привле- кательным направлением представля- ется совершенствование автомобиль- ных двигателей внутреннего сгорания за счёт использования индукционно- го принципа по ′ джига бензино-кис- лородной смеси. Использование вме- сто металла кремний-карбидных или аналогичных керамических материа- лов позволяет сформировать внутри стенок рабочих цилиндров обмотки с малой индуктивностью, что при высо- кой частоте тока возбуждения обеспе- чит надёжный и эффективный способ по ′ джига и оптимальный режим горе- ния смеси. Керамический же матери- ал цилиндра имеет (как это показыва- ют исследования, проведённые в Санкт- Петербурге) теплопроводность на уровне меди при высокой температур- ной стойкости, что обеспечивает значи- тельное повышение КПД. У такого дви- гателя мощностьюоколо 100 л.с. вполне можно добиться расхода топлива в пре- делах 1–3 литра/100 км пробега. В настоящее время теория плазмен- ных двигателей разработана достаточ- но хорошо, силовые компоненты для нагрева плазмы на основе разработок по i-GaAs технологии вполне реальны, как и двухтрансформаторная керами- ческая камера сгорания. Следователь- но, реален и плазменный ДВС. З АКЛЮЧЕНИЕ 1. Перспективные LPE i-GaAs сило- вые высокоскоростные, высокотем- пературные приборы резко расширя- ют возможности создания высокоча- стотного электропривода различного назначения – от бытовых устройств (кондиционеры) до тяговых электро- двигателей для автомобильного, желез- нодорожного, авиационного и речно- го транспорта. 2. Вполне возможно, что высокотем- пературный ВЧ GaAs электропривод найдёт применение в высокоскорост- ных летательных аппаратах, начиная от БПЛА и заканчивая гиперзвуковы- ми ракетами. 3. Высоковольтные многоуровневые преобразователи на основе компонен- тов с оптическим управлением могут найти широкое применение для пре- образования высоковольтной сило- вой сети в 380/220/110/50 В, напри- мер в пассажирском вагоностроении. 4. Новая ВЧ и СВЧ силовая GaAs электроника, скорее всего, будет полезна для построения ионно- плазменных реактивных двигателей и повышения КПД в ДВС с индукци- онной ионизацией топливной смеси в рабочей камере. Л ИТЕРАТУРА 1. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. Новые возможности GaAs силовой элек- троники. Силовая электроника. №2. 2014. 2. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. GaAs-диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar Invertors и замены синхронных выпря- мителей. Силовая электроника. №6. 2012. 3. GaAs Power Devices. G. Ashkinazi. Israel. 4. Significant Effect of Emitter Area on the Effi- ciency, Stability and Reliability of Picose- cond Switching in a GaAs Bipolar Transis- tor Structure. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, M.M. Kulagina, H.T. Moila- nen; Dept. of Electr. & Inf. Eng., Univ. of Oulu, Oulu, Finland; IEEE Transactions on Electron Devices 05/2010. ОФИЦИАЛЬНЫЙ ДИСТРИБЬЮТОР ПРОДУКЦИИ RFHIC © СТА-ПРЕСС