СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2013

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ времени в течение всего срока ресурс ных испытаний, согласуются с рисун ками 2–4. На рисунке 5 представлен график логарифмически нормального совокупного распределения отказов. Соответствующий график Аррениуса по трём значениям температуры, ис пользованный для экстраполяции сни жения рабочей температуры, приве дён на рисунке 6. По этим данным бы ла рассчитана энергия активации, равная E a = 1,77. Полученные результаты считаются применимыми ко всему семейству из делий GaN HEMT компании M/A COM Tech.Solutions. Следующий и очень важный шаг – подвергнуть изделия, прошедшие испытания RF HTOL, де тальному изучению и анализу, чтобы попытаться определить в полупровод нике конкретные причины отказов приборов. В кремниевых полупровод никовых приборах большой мощнос ти основной и общепринятой причи ной отказа, хотя и не обязательно единственной, является миграция ме талла. Энергия активации E a ≈ 1, в соче тании с уравнениями Блэка (Black) для миграции металлов, была использова на для прогнозирования среднего вре мени безотказной работы кремниевых биполярных транзисторов производ ства M/A COM Tech.Solutions. Испытания, описанные в этой статье, предоставляют данные, под тверждающие долговременную на дёжность изделий M/A COM Tech.So lutions, произведённых по техноло гии GaN на подложке из карбида кремния и работающих при номи нальном смещении при компрессии СВЧ сигнала. 75 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2013 100000 Время нааботки, ч Совокупные отказы, % 10000 0 90 70 30 10 2 0,2 99,8 98 99,99 100 1000 0 290С 320С 305С Рис. 5. Логарифмически нормальное совокупное распределение отказов 100000000 10000000 Ресурс ML (T50), ч 1/температура, °С 1000000 200 250 100 10000 100000 1000 0 E a = 1,77 Рис. 6. График Аррениуса по трём значениям температуры для экстраполяции ресурса Реклама ©СТА-ПРЕСС