СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №4/2013

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ противления поверхности п/п нару шает условия оптимальностирассто яниймежду кольцами, чтоможетпри водить как кповышениюутечек, таки к снижениюпробивныхнапряжений. 2. Дозовые эффекты в окислах и на границах раздела окисел полупро водник, приводящие к изменению зарядов в МОП структурах и, как следствие, к изменениюпорогового напряжения и поверхностного со противления, приводящего к сниже нию пробивного напряжения и по вышению утечек по периферии ПП. 3. Фотоэффекты в p n переходах и эффекты одиночных событий при воздействии протонов, ТЗЧ и тер моядерных нейтронов, приводящие к отпиранию паразитных n–p–n транзисторов в ячейках n каналь ных (или n–p–n транзисторов в ячейках p канальных) ДМОП тран зисторов, а в БТИЗ совместно с ак тивным n–p–n транзистором – к ти ристорному эффекту. 4. Электромагнитные эффекты, приво дящие к наведению потенциалов и электрическим пробоям подзатвор ного диэлектрика (см. рис. 1 [3]), имеющего пробивное напряжение от 30 В (гарантируется 100% контро лем) до 80 В фактически. Для снижения уровней отрицатель ного воздействия каждого из вышепе речисленныхфакторов радиационно го излучения разработчиками ВЗПП С предложены следующие конструктив но технологические решения: 1. Защита подзатворного диэлектрика диодами Зенера в слое поликремния (см. рис. 2), что повышает более чем на порядок стойкость транзисторов к статическим электрическим раз рядам. 2. Опыт изготовления диодов Зенера в слое поликремния позволил не толь ко разработать БТИЗ для систем электронного зажигания автомоби лей, защищённого от статэлектри ческих разрядов до 6000 В, но и раз работать в дальнейшем спиральную периферию в слое поликремния с ДЗ (см. рис. 3), нечувствительную к стационарным и подвижным заря дам в межслойном и защитном (пас сивирующем) диэлектриках. Преимущества спиральной перифе рии заключаются в том, что она: ● занимает меньше места, чем коль цевая (нет затрат поверхности на диффузионные кольцевые об ласти); ● экранирует поверхность перифе рии п/п от воздействия полей за рядов, расположенных выше слоя поликремния, в котором изготов лена спираль. Кроме того, расстояния между вит ками зависят только от стойкости межвиткового диэлектрика к рас пределённому напряжению между витками по формуле: 0,5T>w>K × U w /Е кр.д. , (1) где Т – шаг спирали, w – расстояние между витками спирали, U w – напря 33 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2013 200 54,2% 5,4% 12,0% 28,4% Количество аномалий Электричес- кий разряд Одиночные события Дозовый отказ Причина не установлена 150 100 50 0 Рис. 1. Влияние эффектов электризации на РЭА космических аппаратов Реклама © CТА-ПРЕСС